基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法（高校 半导体器件 高压电网电晕检测、紫外成像仪、生化分析）特价

《基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法（高校 半导体器件 高压电网电晕检测、紫外成像仪、生化分析）特价》是一发明专利，专利号为 2022102914331，当前法律状态为已下证，由电子科技大学提出申请，发明人为李严波;范泽宇，申请日期为2022-03-23，公开（公告）日期为2024-03-22，国际专利分类号（IPC）为 H01L 31/09 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：光电子、Ga2O3、日盲紫外、探测器、薄膜技术、半导体、光电材料、科研设备、光电器件、光电科研、半导体设备、探测技术。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。

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